类型 | 描述 |
---|---|
系列: | * |
包裹: | Bulk |
零件状态: | Active |
内存类型: | - |
内存格式: | - |
技术: | - |
内存大小: | - |
内存接口: | - |
时钟频率: | - |
写周期时间 - 字,页: | - |
访问时间: | - |
电压 - 电源: | - |
工作温度: | - |
安装类型: | - |
包/箱: | - |
供应商设备包: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
AS7C31025C-12JINTRAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
|
AM27S43A/BUARochester Electronics |
AM27S43 - OTP ROM, 4KX8, 55NS |
|
DS1249Y-85IND#Maxim Integrated |
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 32EDIP |
|
AS7C256A-15TINAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
|
BR93G66FVM-3AGTTRROHM Semiconductor |
IC EEPROM 4KBIT SPI 3MHZ 8MSOP |
|
70V3399S133BCRenesas Electronics America |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA |
|
BR24T256FVT-WE2ROHM Semiconductor |
IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOPB |
|
CY62167G30-45ZXITFlip Electronics |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I |
|
IS49RL36160-107EBLISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA |
|
DS1245YP-70INDRochester Electronics |
IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP |
|
S29GL01GT12TFN010Cypress Semiconductor |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP |
|
70V3599S166BFRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA |
|
CY62147DV30L-55BVITRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 256KX16, 55NS |