English
简体中文
图片仅供参考，请联系我们获取真实图片
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Asynchronous |
| 内存大小: | 4Mb (1M x 4) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 12ns |
| 访问时间: | 12 ns |
| 电压 - 电源: | 3V ~ 3.6V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| 供应商设备包: | 32-SOJ |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
AS4C4M32SA-6TINTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 128MBIT PAR 86TSOP II |
|
24LC025-E/MSRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8MSOP |
|
MX68GL1G0FHXFI-11GMacronix |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64LFBGA |
|
NM24C02VM8XRochester Electronics |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SO |
|
S29GL064N90FFI033Cypress Semiconductor |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA |
|
IS42S16160G-6BLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA |
|
S25FL064LABNFI013Cypress Semiconductor |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON |
|
71V3577S75BGG8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA |
|
IS25LP128-JLLEISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON |
|
CY14E256LA-SZ45XITCypress Semiconductor |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC |
|
NSEC00K008-ATInsignis Technology Corporation |
IC FLASH 64GBIT EMMC 100BGA |
|
71V3559S85BQGRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
|
71V2576YS150PFGRochester Electronics |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
