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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Synchronous, SDR |
| 内存大小: | 4Mb (128K x 36) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 150 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 6.7ns |
| 访问时间: | 3.8 ns |
| 电压 - 电源: | 3.135V ~ 3.465V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 100-LQFP |
| 供应商设备包: | 100-TQFP (14x20) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
MR256A08BMA35REverspin Technologies, Inc. |
IC RAM 256KBIT PARALLEL 48FBGA |
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GS8342D18BGD-400IGSI Technology |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FPBGA |
|
HN27C256HG85Rochester Electronics |
UV EPROM, 32KX8, 85NS |
|
CY62157DV30LL-70BVIRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 512KX16, 70NS |
|
GS8161Z36DGD-333IGSI Technology |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FPBGA |
|
70V639S12BFGI8Renesas Electronics America |
IC SRAM 2.25MBIT PAR 208FPBGA |
|
TMS6787-20NRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 64KX1, 20NS, |
|
S29GL512S11DHB013Cypress Semiconductor |
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA |
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AT25DL161-SSHN-TAdesto Technologies |
IC FLASH 16MBIT SPI 100MHZ 8SOIC |
|
CY7C1399-15VCRochester Electronics |
CACHE SRAM, 32KX8, 15NS PDSO28 |
|
FM24C03UFLZMT8XRochester Electronics |
IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOP |
|
GS81282Z36GD-200IVGSI Technology |
IC SRAM 144MBIT PAR 165FPBGA |
|
24AA16H-I/PRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT I2C 400KHZ 8DIP |
