类型 | 描述 |
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系列: | - |
包裹: | Tape & Reel (TR) |
零件状态: | Active |
内存类型: | Non-Volatile |
内存格式: | EEPROM |
技术: | EEPROM |
内存大小: | 8Kb (1K x 8) |
内存接口: | SPI |
时钟频率: | 10 MHz |
写周期时间 - 字,页: | 5ms |
访问时间: | - |
电压 - 电源: | 2.5V ~ 5.5V |
工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | 8-WFDFN Exposed Pad |
供应商设备包: | 8-TDFN (2x3) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
UPD44325362BF5-E40X-FQ1-ARochester Electronics |
QDR SRAM, 1MX36, 0.45NS |
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CY7C1370KV33-200BZXICypress Semiconductor |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
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70V3589S133DRGRenesas Electronics America |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 208PQFP |
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MX25U6435FZNI-10GMacronix |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON |
|
CY7C1371KV33-133AXCCypress Semiconductor |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
71V416S10BEGRenesas Electronics America |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA |
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AS4C1M16S-7TCNTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II |
|
THGAF8G8T23BAILToshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.) |
IC FLASH 32GBIT UFS 153WFBGA |
|
CY7C1399B-15ZXITRochester Electronics |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
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CY7C263-40PCRochester Electronics |
OTP ROM, 8KX8, 40NS |
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IS43R32160D-5BLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PAR 144LFBGA |
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SFEM032GB1EA1TO-I-LF-111-STDSwissbit |
IC FLASH 256GBIT EMMC 153BGA |
|
CY27C256A-45ZCRochester Electronics |
OTP ROM, 32KX8, 45NS PDSO28 |