类型 | 描述 |
---|---|
系列: | - |
包裹: | Bulk |
零件状态: | Active |
内存类型: | Non-Volatile |
内存格式: | EEPROM |
技术: | EEPROM |
内存大小: | 64Kb (8K x 8) |
内存接口: | Parallel |
时钟频率: | - |
写周期时间 - 字,页: | 5ms |
访问时间: | 200 ns |
电压 - 电源: | 3V ~ 3.6V |
工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) |
供应商设备包: | 28-TSOP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
GS82582Q19GE-400IGSI Technology |
IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA |
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71V3559S80PFGIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
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AS7C3256A-20JINTRAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ |
|
CY62137FV30LL-55ZSXERochester Electronics |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II |
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BR24T16-WZROHM Semiconductor |
IC EEPROM 16KBIT I2C DIP8K |
|
24AA16T-I/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC |
|
AT28C256-25UM/883Roving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 256KBIT PAR 28CPGA |
|
S29GL128S90FHI023Cypress Semiconductor |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA |
|
IS45S16320F-7TLA2ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II |
|
CY62256NLL-55ZXETRochester Electronics |
IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I |
|
BR24L02F-WE2ROHM Semiconductor |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOP |
|
AS6C1016-55ZINAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II |
|
70V3569S6BFRenesas Electronics America |
IC SRAM 576KBIT PAR 208CABGA |