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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tape & Reel (TR) |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 4Kb (256 x 8 x 2) |
| 内存接口: | I²C |
| 时钟频率: | 400 kHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 5ms |
| 访问时间: | 900 ns |
| 电压 - 电源: | 2.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| 供应商设备包: | 8-MSOP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
47L04-I/PRoving Networks / Microchip Technology |
IC EERAM 4KBIT I2C 1MHZ 8DIP |
|
AS4C512M8D3L-12BANAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA |
|
70V657S15BC8Renesas Electronics America |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA |
|
IS61LF204836B-7.5TQLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 100LQFP |
|
S-24CS01AFT-TB-GABLIC U.S.A. Inc. |
IC EEPROM 1KBIT I2C 8TSSOP |
|
NM24C04ENRochester Electronics |
IC EEPROM 4KBIT I2C 100KHZ 8DIP |
|
70V7319S166BC8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
|
S-93C46BD0I-K8T3UABLIC U.S.A. Inc. |
IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8TMSOP |
|
IS61VPS102418B-200TQLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100LQFP |
|
70V639S12BFGIRenesas Electronics America |
IC SRAM 2.25MBIT PAR 208FPBGA |
|
IS43R16320F-6TLISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II |
|
S25FL512SDPMFVG10Cypress Semiconductor |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
|
GS81302QT37GE-300IGSI Technology |
IC SRAM 144MBIT PAR 165FPBGA |
