类型 | 描述 |
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系列: | JL-J |
包裹: | Tray |
零件状态: | Active |
内存类型: | Non-Volatile |
内存格式: | FLASH |
技术: | FLASH - NOR |
内存大小: | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) |
内存接口: | Parallel |
时钟频率: | - |
写周期时间 - 字,页: | 70ns |
访问时间: | 70 ns |
电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
供应商设备包: | 48-TSOP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
AM27S29/B2ARochester Electronics |
AM27S29 - OTP ROM, 512X8, 70NS |
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IS45S32800J-7TLA1-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II |
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CAT28C65BX-15Rochester Electronics |
IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28SOIC |
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AT45DB161E-SHF2B-TAdesto Technologies |
IC FLASH 16MBIT SPI 85MHZ 8SOIC |
|
S-24C16DI-M5T1U5ABLIC U.S.A. Inc. |
IC EEPROM 16KBIT I2C SOT23-5 |
|
PCF85103C-2T/00,11Rochester Electronics |
IC EEPROM 2KBIT I2C 100KHZ 8SO |
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93LC66BT/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 4KBIT SPI 2MHZ 8SOIC |
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CY7C1440KV33-250AXCCypress Semiconductor |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 100TQFP |
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AS7C1025B-10TJCNAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
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71V65603S100BGRenesas Electronics America |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA |
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GD25Q64CYIGRGigaDevice |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON |
|
CY14E512Q1A-SXIRochester Electronics |
NON-VOLATILE SRAM, 64KX8, CMOS, |
|
IS42S32160F-75ETL-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II |