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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | * |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | - |
| 内存格式: | - |
| 技术: | - |
| 内存大小: | - |
| 内存接口: | - |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | - |
| 包/箱: | - |
| 供应商设备包: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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M95256-DRMF3TG/KSTMicroelectronics |
IC EEPROM 256KBIT SPI 20MHZ 8MLP |
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24AA128T-I/SMRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 128KBIT I2C 8SOIJ |
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MX29GL640ETTI-90GMacronix |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP |
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CY7C1354S-166AXCRochester Electronics |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
AT24C02D-MAHM-ERoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8UDFN |
|
25AA020A-I/STRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 2KBIT SPI 10MHZ 8TSSOP |
|
DS1230Y-120+Maxim Integrated |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP |
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IS42S32160F-7TLI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PAR 86TSOP II |
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5962-8764813QYARochester Electronics |
UVPROM, 64KX8, 200NS, CMOS |
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AS6C2016-55ZINAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II |
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AT25SF081B-MAHD-TAdesto Technologies |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8USON |
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S29GL128S11TFIV20Cypress Semiconductor |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP |
|
DS1230Y-100+Maxim Integrated |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP |
