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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | NVSRAM |
| 技术: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 内存大小: | 256Kb (32K x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 100ns |
| 访问时间: | 100 ns |
| 电压 - 电源: | 3V ~ 3.6V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 34-PowerCap™ Module |
| 供应商设备包: | 34-PowerCap Module |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
CAT24FC256LIRochester Electronics |
IC EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8DIP |
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24LC16BHT-I/MSRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT I2C 8MSOP |
|
S25FL129P0XMFI010Flip Electronics |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
|
N25Q064A13EF640EAlliance Memory, Inc. |
IC FLSH 64MBIT SPI 108MHZ 8VDFPN |
|
AS4C8M32S-7TCNTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II |
|
MX29GL128FLT2I-90GMacronix |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP |
|
AS4C4M16SA-6TCNTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II |
|
IS42S16100H-7BLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA |
|
CY7C1620KV18-250BZXCCypress Semiconductor |
IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
CY14MB064J2A-SXIRochester Electronics |
IC NVSRAM 64KBIT I2C 8SOIC |
|
AT45DB021E-SSHNHA-TAdesto Technologies |
IC FLASH 2MBIT SPI 70MHZ 8SOIC |
|
CY7C1525KV18-333BZCRochester Electronics |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
71V3577S75BGGIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA |
