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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Asynchronous |
| 内存大小: | 16Mb (1M x 16) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 10ns |
| 访问时间: | 10 ns |
| 电压 - 电源: | 2.2V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| 供应商设备包: | 48-TSOP I |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
S29GL128N11FFVR10Cypress Semiconductor |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA |
|
70V3379S4BC8Renesas Electronics America |
IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA |
|
CY14B104LA-ZS20XIRochester Electronics |
IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II |
|
MX25L4006EM1I-12GMacronix |
IC FLASH 4MBIT SPI 86MHZ 8SOP |
|
IS42S32800J-6TL-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II |
|
CY7C25682KV18-400BZCRochester Electronics |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
CY7C1357C-100BZCRochester Electronics |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
IS42S16320F-7BLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54TFBGA |
|
AM27C512-255DCRochester Electronics |
EPROM |
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CAT25080VP2I-GT3Rochester Electronics |
IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ 8TDFN |
|
GS8342DT38BGD-500IGSI Technology |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FPBGA |
|
CY14B104NA-BA45XECypress Semiconductor |
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA |
|
CAT93C57XI-T2Rochester Electronics |
IC EEPROM 2KBIT SPI 1MHZ 8SOIC |
