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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tape & Reel (TR) |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Synchronous, SDR |
| 内存大小: | 9Mb (256K x 36) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 200 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | 3.1 ns |
| 电压 - 电源: | 3.135V ~ 3.465V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 100-LQFP |
| 供应商设备包: | 100-TQFP (14x20) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
MT53E128M32D2DS-053 AUT:AMicron Technology |
IC DRAM 4GBIT 1.866GHZ 200WFBGA |
|
CY62158H-45ZSXITCypress Semiconductor |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II |
|
CY62137VNLL-70ZSXATRochester Electronics |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II |
|
24LC00T/OTRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 128B I2C SOT23-5 |
|
CY14B101LA-SZ45XICypress Semiconductor |
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32SOIC |
|
DS1230Y-200+Maxim Integrated |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP |
|
W25Q20EWSNIGWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC |
|
GD25LQ05CTIGRGigaDevice |
IC FLASH 512KBIT SPI/QUAD 8SOP |
|
IS26KS256S-DPBLI00ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC FLASH 256MBIT PAR 24VFBGA |
|
M95256-DFCS6TP/KSTMicroelectronics |
IC EEPROM 256KBIT SPI 8WLCSP |
|
W25Q128JWEIQ TRWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON |
|
AT93C46DY6-YH-TRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT SPI 8MINI MAP |
|
S29GL01GS10DHA013Cypress Semiconductor |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA |
