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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | MX29GL |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | FLASH |
| 技术: | FLASH - NOR |
| 内存大小: | 256Mb (32M x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 110ns |
| 访问时间: | 110 ns |
| 电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 64-LBGA, CSPBGA |
| 供应商设备包: | 64-LFBGA, CSP (11x13) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
FM24C16UENRochester Electronics |
IC EEPROM 16KBIT I2C 100KHZ 8DIP |
|
S29GL512S10FHSS30Cypress Semiconductor |
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64BGA |
|
23K256T-I/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8SOIC |
|
MT58L256L32FS-8.5ITRochester Electronics |
CACHE SRAM, 256KX32, 8.5NS PQFP1 |
|
FM93C86ALEMT8Rochester Electronics |
EEPROM, 1KX16, SERIAL, CMOS |
|
CY7C1041GN30-10BVJXITCypress Semiconductor |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA |
|
DS1350ABP-100Rochester Electronics |
IC NVSRAM 4MBIT PAR 34PWRCAP |
|
CAT25010VP2I-GT3Rochester Electronics |
IC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8TDFN |
|
70T3599S133BCRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
|
SST25VF080B-50-4I-QAF-TRoving Networks / Microchip Technology |
IC FLASH 8MBIT SPI 50MHZ 8WSON |
|
M24C32-RDW6TPSTMicroelectronics |
IC EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP |
|
AS6C1616-55TINAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I |
|
24AA08HT-I/OTRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 8KBIT I2C SOT23-5 |
