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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | DRAM |
| 技术: | SDRAM - Mobile LPDDR |
| 内存大小: | 32Mb (1M x 32) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 166 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 15ns |
| 访问时间: | 5.5 ns |
| 电压 - 电源: | 1.7V ~ 1.95V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 90-TFBGA |
| 供应商设备包: | 90-TFBGA (8x13) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
CY62157EV30LL-55ZXETCypress Semiconductor |
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I |
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70T3319S133BFRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 208CABGA |
|
M48Z58Y-70PC1STMicroelectronics |
IC NVSRAM 64KBIT PAR 28PCDIP |
|
70T651S10BFRenesas Electronics America |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208FPBGA |
|
CY7C144E-15JXIRochester Electronics |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 68PLCC |
|
CY7C1049BV33-12VITRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 512KX8, 12NS |
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PC28F512P33BFDAlliance Memory, Inc. |
IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64LBGA |
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S25FL256SDPMFV003Cypress Semiconductor |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
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AT25XE011-SSHN-TAdesto Technologies |
IC FLASH 1MBIT SPI 104MHZ 8SOIC |
|
6116SA70DBRenesas Electronics America |
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP |
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MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E TRMicron Technology |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I |
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CY7C1665KV18-450BZXCRochester Electronics |
IC SRAM 144MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
R1EX25004ASA00A#S0Rochester Electronics |
IC EEPROM 4KBIT SPI 5MHZ 8SOP |
