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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 1Kb (128 x 8) |
| 内存接口: | I²C |
| 时钟频率: | 1 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 5ms |
| 访问时间: | 550 ns |
| 电压 - 电源: | 1.8V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 8-UFDFN Exposed Pad |
| 供应商设备包: | 8-Mini Map (2x3) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
IS42VM16160K-6BLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA |
|
MT49H16M36SJ-25E:B TRMicron Technology |
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA |
|
W25Q32JVZPIQWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON |
|
MX25L6433FXCI-08GMacronix |
IC FLSH 64MBIT SPI/QUAD 24CSPBGA |
|
70V3389S5BC8Renesas Electronics America |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA |
|
S25FL116K0XMFA011Flip Electronics |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
|
AT25PE20-MHN-TAdesto Technologies |
IC FLASH 2MBIT SPI 85MHZ 8UDFN |
|
W74M25JVZEIQWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON |
|
CY14B108N-ZSP45XIRochester Electronics |
IC NVSRAM 8MBIT PAR 54TSOP II |
|
7130LA20JG8Renesas Electronics America |
IC SRAM 8KBIT PARALLEL 52PLCC |
|
M5M5V108DVP-70HISTRochester Electronics |
SRAM 3.3V 1M-BIT (128K X 8) |
|
AS4C32M16MSA-6BINTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA |
|
70V3569S6BCRenesas Electronics America |
IC SRAM 576KBIT PAR 256CABGA |
