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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | e•MMC™ |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | FLASH |
| 技术: | FLASH - NAND |
| 内存大小: | 64Gb (8G x 8) |
| 内存接口: | MMC |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 100-LBGA |
| 供应商设备包: | 100-LBGA (14x18) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
FM24C32UFLM8Rochester Electronics |
IC EEPROM 32KBIT I2C 8SOIC |
|
AS4C32M16D1A-5TINTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II |
|
W25X40CLSNIGWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 4MBIT SPI 104MHZ 8SOIC |
|
CY15E016J-SXECypress Semiconductor |
IC FRAM 16KBIT I2C 1MHZ 8SOIC |
|
MSR630AGC-1512MoSys |
IC SRAM 1.152GBIT PAR 676BGA |
|
CY7C1049BV33-12VCRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 512KX8, 12NS |
|
71V416L15YGIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
|
MT29F512G08CMCEBJ4-37ITR:E TRMicron Technology |
IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA |
|
25LC640A-M/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 64KBIT SPI 10MHZ 8SOIC |
|
25CSM04-I/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 4MBIT SPI 8MHZ 8SOIC |
|
FM25L16B-GTRCypress Semiconductor |
IC FRAM 16KBIT SPI 20MHZ 8SOIC |
|
CY7C1320SV18-167BZCRochester Electronics |
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
AT28C256-20DM/883Roving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 256KBIT PAR 28CDIP |
