类型 | 描述 |
---|---|
系列: | GL-T |
包裹: | Tray |
零件状态: | Active |
内存类型: | Non-Volatile |
内存格式: | FLASH |
技术: | FLASH - NOR |
内存大小: | 1Gb (128M x 8) |
内存接口: | Parallel |
时钟频率: | - |
写周期时间 - 字,页: | 60ns |
访问时间: | 120 ns |
电压 - 电源: | 2.7V ~ 3.6V |
工作温度: | -40°C ~ 125°C (TA) |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | 64-LBGA |
供应商设备包: | 64-FBGA (9x9) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
CAT24M01WE-GT3Rochester Electronics |
IC EEPROM 1MBIT I2C 400KHZ 8SOIC |
|
MX25R512FZUIH1Macronix |
IC FLASH 512KBIT SPI/QUAD 8USON |
|
AS7C32098A-20TCNTRAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP2 |
|
AS4C32M32MD2A-25BINAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA |
|
STK14D88-NF45Rochester Electronics |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC |
|
MT58V512V36DF-7.5Rochester Electronics |
CACHE SRAM, 512KX36, 4NS, CMOS, |
|
TMS62828L-85NWRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 128KX8 |
|
BR24G64FJ-3GTE2ROHM Semiconductor |
IC EEPROM 64KBIT I2C 8SOPJ |
|
DS2460S+Maxim Integrated |
IC EEPROM 896B I2C 400KHZ 8SO |
|
71V416S12BE8Renesas Electronics America |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA |
|
HM1-6504S-9Rochester Electronics |
4096 X 1 CMOS SRAM |
|
DS1345WP-150Rochester Electronics |
IC NVSRAM 1MBIT PAR 34PWRCAP |
|
M48Z02-150PC1STMicroelectronics |
IC NVSRAM 16KBIT PAR 24PCDIP |