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MEMS OSC XO 66.66666MHZ H/LVCMOS
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8MSOP
IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP
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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | NVSRAM |
| 技术: | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
| 内存大小: | 256Kb (32K x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 70ns |
| 访问时间: | 70 ns |
| 电压 - 电源: | 4.75V ~ 5.25V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 34-PowerCap™ Module |
| 供应商设备包: | 34-PowerCap Module |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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CY7C1423SV18-250BZCRochester Electronics |
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA |
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MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E TRMicron Technology |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I |
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25LC040A-I/PRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 4KBIT SPI 10MHZ 8DIP |
|
MTFC32GAPALBH-AAT TRMicron Technology |
IC FLASH 256GBIT MMC 153TFBGA |
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MT40A256M16LY-062E AIT:FMicron Technology |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA |
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11AA080T-I/MNYRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 8KBIT SGL WIRE 8TDFN |
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70V3319S133BCRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
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CY7C1615KV18-300BZXCRochester Electronics |
SYNC RAM |
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PC28F128J3F75AAlliance Memory, Inc. |
IC FLASH 128MBIT PAR 64EASYBGA |
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S25FL256LDPBHN030Cypress Semiconductor |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA |
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BR24C16-DW6TPROHM Semiconductor |
IC EEPROM 16KBIT I2C 8TSSOP |
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AT28C64B-15SURoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28SOIC |
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IS42S86400F-7TL-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II |