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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | DRAM |
| 技术: | DRAM |
| 内存大小: | 576Mb (32M x 18) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 800 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | 10 ns |
| 电压 - 电源: | 1.28V ~ 1.42V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 168-LBGA |
| 供应商设备包: | 168-FC(LF)BGA (13.5x13.5) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
71V3577S85BQIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
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CY62167GE30-45BVXICypress Semiconductor |
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48VFBGA |
|
CY14B104L-BA25XCRochester Electronics |
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA |
|
W25Q80EWSSIG TRWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 8MBIT SPI 104MHZ 8SOIC |
|
CY7C1360C-200AXCRochester Electronics |
QDR SRAM, 256KX36, 3NS PQFP100 |
|
041841QLAD-7Rochester Electronics |
256KX18 SRAM |
|
71256L25YGIRochester Electronics |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ |
|
FM24C05UNRochester Electronics |
IC EEPROM 4KBIT I2C 100KHZ 8DIP |
|
93C86C-E/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ 8SOIC |
|
S29GL256P90TFCR10Cypress Semiconductor |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP |
|
93LC76T-I/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 8KBIT SPI 3MHZ 8SOIC |
|
71024S20YRochester Electronics |
SRAM 1 MEG (64K X 16-BIT) |
|
BR24C08-RMN6TPROHM Semiconductor |
IC EEPROM 8KBIT I2C 100KHZ 8SO |
