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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tube |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 16Kb (2K x 8) |
| 内存接口: | SPI |
| 时钟频率: | 10 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 5ms |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 1.8V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 供应商设备包: | 8-TSSOP |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
24LC32AT-E/SMRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 32KBIT I2C 8SOIJ |
|
IS25WQ020-JBLEISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOP |
|
S70FS01GSAGBHM213Cypress Semiconductor |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24BGA |
|
AT25XE081D-SSHN-TAdesto Technologies |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC |
|
93LC46BT-E/MNYRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT SPI 2MHZ 8TDFN |
|
CY7C0852AV-133BBCRochester Electronics |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 172FBGA |
|
7164L25YGRenesas Electronics America |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ |
|
UPD44645182AF5-E40-FQ1-ARochester Electronics |
QDR SRAM, 4MX18, 0.45NS |
|
AS4C8M16SA-6TANTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II |
|
AS7C256A-15JCNAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ |
|
DS1230AB-70+Maxim Integrated |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP |
|
CY14B101KA-SP45XICypress Semiconductor |
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 48SSOP |
|
SST25VF020-20-4I-QAE-TRoving Networks / Microchip Technology |
IC FLASH 2MBIT SPI 20MHZ 8WSON |
