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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | NoBL™ |
| 包裹: | TrayTray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Synchronous, SDR |
| 内存大小: | 18Mb (512K x 36) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 167 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | 3.4 ns |
| 电压 - 电源: | 2.375V ~ 2.625V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 100-LQFP |
| 供应商设备包: | 100-TQFP (14x20) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
AS4C4M16D1A-5TCNAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II |
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25LC010AT-I/MCRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 1KBIT SPI 10MHZ 8DFN |
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AS7C34096A-12JINAlliance Memory, Inc. |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
|
R1LP0408DSP-5SI#B1Renesas Electronics America |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32SOP |
|
DS1230Y-120IND+Maxim Integrated |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP |
|
CY7C1514JV18-250BZXCRochester Electronics |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA |
|
70V657S12BFRenesas Electronics America |
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA |
|
IS43R86400D-6TLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II |
|
MX25L25673GZNI-10GMacronix |
IC FLSH 256MBIT SPI 120MHZ 8WSON |
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CY7C1614KV18-333BZCRochester Electronics |
QDR SRAM, 4MX36, 0.45NS, CMOS, P |
|
LE24CB642MC-AERochester Electronics |
IC EEPROM 64KBIT I2C 400KHZ 8MFP |
|
25LC256XT-I/STRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 256KBIT SPI 8TSSOP |
|
7164S20TPGRochester Electronics |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28DIP |
