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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | F-RAM™ |
| 包裹: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | FRAM |
| 技术: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| 内存大小: | 1Mb (128K x 8) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | 90ns |
| 访问时间: | 90 ns |
| 电压 - 电源: | 2V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) |
| 供应商设备包: | 32-TSOP I |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
S-24C512CI-T8T1U4ABLIC U.S.A. Inc. |
IC EEPROM 512KBIT I2C 8TSSOP |
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AS4C8M16D1A-5TCNTRAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II |
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CAT24WC66LIRochester Electronics |
IC EEPROM 64KBIT I2C 400KHZ 8DIP |
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BR24S16F-WE2ROHM Semiconductor |
IC EEPROM 16KBIT I2C 400KHZ 8SOP |
|
CY7C4122KV13-933FCXCRochester Electronics |
QDR SRAM, 8MX18 PBGA361 |
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MT58L512L18FS-10ITRochester Electronics |
CACHE SRAM 512KX18 10NS PQFP100 |
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AT25320A-10TQ-2.7Rochester Electronics |
EEPROM, 4KX8, SERIAL, CMOS |
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CY62128VLL-55ZITRochester Electronics |
SRAM 1M-BIT 128K X 8 55NS |
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S25FS512SDSMFV013Cypress Semiconductor |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC |
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S29GL032N90BAI030Cypress Semiconductor |
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48FBGA |
|
GS8673ET18BGK-675IGSI Technology |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 260BGA |
|
25LC080AT-H/SNRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ 8SOIC |
|
DS1330WP-150+Rochester Electronics |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP |
