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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - Synchronous, SDR |
| 内存大小: | 36Mb (1M x 36) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 133 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | 6.5 ns |
| 电压 - 电源: | 3.135V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 100-LQFP |
| 供应商设备包: | 100-TQFP (14x20) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
DS1270AB-100Maxim Integrated |
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP |
|
70V24L20JRenesas Electronics America |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 84PLCC |
|
AT24C16-10PI-1.8Roving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT I2C 400KHZ 8DIP |
|
GD25VQ16CSIGGigaDevice |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOP |
|
IDT71124S12YIRenesas Electronics America |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
|
CAT25128VI-GDSanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
IC EEPROM 128KB SERIAL SPI 8TSSO |
|
CY7C1021CV33-12ZXCTCypress Semiconductor |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II |
|
IS26KL512S-DABLI00ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC FLASH 512MBIT PAR 24VFBGA |
|
IDT71016S12PHRenesas Electronics America |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II |
|
MT41K256M8DA-125:MMicron Technology |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA |
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IDT71T016SA12PH8Renesas Electronics America |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II |
|
STK14C88-NF35ICypress Semiconductor |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC |
|
FT93C56A-ISR-BFremont Micro Devices |
IC EEPROM 2KBIT SPI 2MHZ 8SOP |
