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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tape & Reel (TR) |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 8Kb (1K x 8) |
| 内存接口: | I²C |
| 时钟频率: | 100 kHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 2.5V ~ 6.0V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 8-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| 供应商设备包: | 8-SO |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
25AA080CT-E/MNY16KVAORoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ 8TDFN |
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MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85HMicron Technology |
IC FLASH RAM 1GBIT PAR 121VFBGA |
|
JS28F256P33T2EMicron Technology |
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP |
|
M25P16-VMF6TP TRMicron Technology |
IC FLASH 16MBIT SPI 75MHZ 16SO W |
|
AT28BV256-20SIRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 256KBIT PAR 28SOIC |
|
W25Q64FVZPJQWinbond Electronics Corporation |
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON |
|
N25Q032A11ESE40F TRMicron Technology |
IC FLASH 32MBIT SPI 108MHZ 8SO |
|
IDT71V424S10YRenesas Electronics America |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
|
MT40A256M16GE-083E AUT:B TRMicron Technology |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA |
|
MT28F400B5WG-8 T TRMicron Technology |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP I |
|
70V35S25PF8Renesas Electronics America |
IC SRAM 144K PARALLEL 100TQFP |
|
IS42S83200B-7TI-TRISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II |
|
MT48LC128M4A2TG-7E:CMicron Technology |
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II |
