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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | Volatile |
| 内存格式: | DRAM |
| 技术: | DRAM |
| 内存大小: | 576Mb (16M x 36) |
| 内存接口: | Parallel |
| 时钟频率: | 400 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | 20 ns |
| 电压 - 电源: | 1.7V ~ 1.9V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | 144-TFBGA |
| 供应商设备包: | 144-FCBGA (11x18.5) |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
|
93C86B-I/PRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ 8DIP |
|
M29W800DB70N6EMicron Technology |
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TSOP |
|
IDT71V65903S80PFRenesas Electronics America |
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
MT47H32M16CC-37E:B TRMicron Technology |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA |
|
71V3557S75PFGIRenesas Electronics America |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
IDT71V432S6PFIRenesas Electronics America |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP |
|
MX29LV400CTTC-90GMacronix |
IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP |
|
AS4C8M16D1-5TINAlliance Memory, Inc. |
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II |
|
STK11C88-SF25Cypress Semiconductor |
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28SOIC |
|
MT29C2G24MAABAHAMD-5 IT TRMicron Technology |
IC FLASH RAM 2GBIT PAR 130VFBGA |
|
IS46DR81280B-25DBLA2ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA |
|
MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT TRMicron Technology |
IC FLASH RAM 1GBIT PAR 130VFBGA |
|
M29W128GH70ZS6EMicron Technology |
IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA |
