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NAND01GW3B2CN6E

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IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

NAND01GW3B2CN6E

NAND01GW3B2CN6E

图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

NAND01GW3B2CN6E

制造商
Micron Technology
描述
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
目录
记忆
可用性
250225 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 05 - Nov 09 2025
PDF格式
NAND01GW3B2CN6E PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tray
零件状态:Obsolete
内存类型:Non-Volatile
内存格式:FLASH
技术:FLASH - NAND
内存大小:1Gb (128M x 8)
内存接口:Parallel
时钟频率:-
写周期时间 - 字,页:25ns
访问时间:25 ns
电压 - 电源:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型:Surface Mount
包/箱:48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
供应商设备包:48-TSOP
NAND01GW3B2CN6E 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 NAND01GW3B2CN6E 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为NAND01GW3B2CN6E 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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