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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | * |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | - |
| 内存格式: | - |
| 技术: | - |
| 内存大小: | - |
| 内存接口: | - |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | - |
| 包/箱: | - |
| 供应商设备包: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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EM639165TS-5GEtron Technology |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II |
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5962-8670603XARochester Electronics |
IC PROM 8KBIT PARALLEL 32CLCC |
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CY62128ELL-55SXEKJRochester Electronics |
ASYNC RAM |
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MT29F64G08CBCGBL04A3WC1Micron Technology |
IC FLASH 64GBIT PARALLEL DIE |
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S72XS256RE0AHBHH0Cypress Semiconductor |
IC FLASH RAM 256MBIT PAR 133FBGA |
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CG7393AMRochester Electronics |
SPECIAL |
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SMJ64C16S-25JDMRochester Electronics |
STANDARD SRAM, 16KX1 |
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7164S35TDBRenesas Electronics America |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28CDIP |
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7133SA35GRenesas Electronics America |
IC SRAM 32KBIT PARALLEL 68PGA |
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CY7C1361C-100AXEKJRochester Electronics |
CACHE SRAM, 256KX36, 6.5NS |
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M10162040054X0ISAYRenesas Electronics America |
IC RAM 16MBIT 54MHZ 8SOIC |
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MT29F256G08CBHBBJ4-3R:B TRMicron Technology |
IC FLASH 256GBIT PARALLEL 333MHZ |
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71V016SA10BF8Renesas Electronics America |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48CABGA |
