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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Bulk |
| 零件状态: | Obsolete |
| 内存类型: | - |
| 内存格式: | - |
| 技术: | - |
| 内存大小: | - |
| 内存接口: | - |
| 时钟频率: | - |
| 写周期时间 - 字，页: | - |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | - |
| 工作温度: | - |
| 安装类型: | - |
| 包/箱: | - |
| 供应商设备包: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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M36L0R7050U3ZSF TRMicron Technology |
IC FLASH PSRAM 160M |
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S70GL02GR00FHCAX0ECypress Semiconductor |
IC FLASH |
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MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.8DMicron Technology |
IC FLASH 4GIBT LPPDR |
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MT29KZZZ6D4AGLDM-5 W.6N4 TRMicron Technology |
IC FLASH 38G MLC DDR |
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CG8629AATCypress Semiconductor |
IC PSOC3 |
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M50FLW080AK5GMicron Technology |
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 32PLCC |
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7016S35J8Renesas Electronics America |
IC SRAM 144K PARALLEL 68PLCC |
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93LC86C-I/S15KRoving Networks / Microchip Technology |
IC EEPROM 16KBIT SPI 3MHZ DIE |
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S99GL064N0110Cypress Semiconductor |
IC FLASH |
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MT53D512M64D4NW-062 WT:DMicron Technology |
IC DRAM 32GBIT 1600MHZ 432VFBGA |
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MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TRMicron Technology |
IC DRAM 8GBIT 1600MHZ 200WFBGA |
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CAT28C512HI12Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
IC EEPROM 512KBIT PAR 32TSOP |
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DS2502U-1174/INDX+Maxim Integrated |
IC INTEGRATED CIRCUIT |
