类型 | 描述 |
---|---|
系列: | - |
包裹: | Tray |
零件状态: | Active |
内存类型: | Non-Volatile |
内存格式: | EEPROM |
技术: | EEPROM |
内存大小: | 1Kb (128 x 8) |
内存接口: | I²C |
时钟频率: | 400 kHz |
写周期时间 - 字,页: | 5ms |
访问时间: | 3500 ns |
电压 - 电源: | 2.5V ~ 5.5V |
工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
安装类型: | Surface Mount |
包/箱: | Die |
供应商设备包: | Die |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
EDFP112A3PD-GD-F-DMicron Technology |
IC DRAM 24GBIT PARALLEL 800MHZ |
|
CG8257AATCypress Semiconductor |
IC SRAM SYNC 100TQFP |
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MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E TRMicron Technology |
IC DRAM 32GBIT 1866MHZ 432VFBGA |
|
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TRMicron Technology |
IC DRAM 16GBIT 1866MHZ FBGA |
|
MT29F128G08CFABAWP:BMicron Technology |
IC FLASH 128GBIT PARALLEL 48TSOP |
|
M36L0R7050L3ZSF TRMicron Technology |
IC FLASH PSRAM 160M |
|
EDFP112A3PB-GD-F-DMicron Technology |
IC DRAM 24GBIT PARALLEL 800MHZ |
|
CG7762AATCypress Semiconductor |
MICROPOWER SRAMS |
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CG8317AATCypress Semiconductor |
IC SRAM MICROPOWER 32SOIC |
|
CG8371AATCypress Semiconductor |
IC SRAM |
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MTFC32GJVED-4M ITMicron Technology |
IC FLASH 256GBIT MMC 169VFBGA |
|
MT29F16G08AJADAWP:DMicron Technology |
IC FLASH 16GBIT PARALLEL 48TSOP |
|
MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C TRMicron Technology |
IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA |