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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 1Kb (128 x 8 , 64 x 16) |
| 内存接口: | SPI |
| 时钟频率: | 3 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 6ms |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 2.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | Die |
| 供应商设备包: | Die |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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7006L25JIRenesas Electronics America |
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 68PLCC |
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CY14E064L-SZ45XCCypress Semiconductor |
IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28SOIC |
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MT29C8G96MAYBADJV-5 WTMicron Technology |
IC FLASH RAM 8GBIT PAR 168VFBGA |
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MX25U25635FZ4I-08GMacronix |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON |
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MTFC128GAOANAM-WT TRMicron Technology |
MASSFLASH/CONTROLLER 1T |
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CG8633AATCypress Semiconductor |
MICROPOWER SRAMS |
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CG8619AMCypress Semiconductor |
IC MEM F-RAM SERIAL 8DFN |
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MT46H32M32LFCG-6 IT:A TRMicron Technology |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 152VFBGA |
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CG8194AATCypress Semiconductor |
IC SRAM SYNC |
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M29W640GH70ZS6EMicron Technology |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA |
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MT53B512M64D4NZ-062 WT:DMicron Technology |
IC DRAM 32GBIT 1600MHZ |
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M29W640FB70ZA6F TRMicron Technology |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA |
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MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TRMicron Technology |
IC DRAM 8GBIT 933MHZ FBGA |
