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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 128b (16 x 8) |
| 内存接口: | I²C |
| 时钟频率: | 400 kHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 4ms |
| 访问时间: | 3500 ns |
| 电压 - 电源: | 2.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | Die |
| 供应商设备包: | Die |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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MT29F1T08CUCABH8-6:AMicron Technology |
IC FLASH 1TB PARALLEL 152LBGA |
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MT49H8M36BM-33:BMicron Technology |
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA |
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PC28F128G18FF TRMicron Technology |
IC FLASH 128MBIT PAR 64EASYBGA |
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CG8476AATCypress Semiconductor |
IC CCG2 20WLCSP |
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MT53B512M16D1Z11NWC1Micron Technology |
LPDDR4 8G DIE 512MX16 |
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CG8333AMTCypress Semiconductor |
IC SRAM |
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CG8241AATCypress Semiconductor |
IC SRAM |
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S25GL256S90FHI020Cypress Semiconductor |
IC MEM 256MB FLASH NOR PAR 56TSO |
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MT28EW128ABA1HPN-0SITMicron Technology |
IC FLSH 128MBIT PARALLEL 56VFBGA |
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MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:EMicron Technology |
IC DRAM 64GBIT 1866MHZ 556VFBGA |
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MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TRMicron Technology |
ALL IN ONE MCP 560G |
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MT41J256M8HX-187E:DMicron Technology |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA |
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S71GL064NB0BHW0P0Cypress Semiconductor |
IC FLASH RAM 64MBIT PAR 56FBGA |
