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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 1Kb (128 x 8, 64 x 16) |
| 内存接口: | SPI |
| 时钟频率: | 3 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 2ms |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 4.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | Die |
| 供应商设备包: | Die |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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MTFC32GLXDM-WTMicron Technology |
IC FLASH 256GBIT MMC 153TFBGA |
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MT53B512M64D4NH-062 WT:CMicron Technology |
IC DRAM 32GBIT 1600MHZ 272WFBGA |
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IS43TR16512AL-107MBLIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96LFBGA |
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MT29C4G96MAAGBACKD-5 WTMicron Technology |
IC FLASH RAM 4GBIT PAR 137VFBGA |
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70V24L15PFIRenesas Electronics America |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 100TQFP |
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MT53B512M64D8HR-053 WT ES:BMicron Technology |
IC DRAM 32GBIT 1866MHZ |
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CG8415AACypress Semiconductor |
ASYNC SRAMS |
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AT25SF041B-DWFAdesto Technologies |
IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD WAFER |
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LH28F160BJE-BTL90Sharp Microelectronics |
IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP |
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MT29F512G08CUCABH3-10:A TRMicron Technology |
IC FLASH 512GBIT PAR 100LBGA |
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MT53D384M64D4FL-046 XT ES:E TRMicron Technology |
LPDDR4 24G 384MX64 FBGA XT QDP |
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S99GL256P10TFI010Cypress Semiconductor |
IC FLASH MEMORY NOR |
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S99GL064ABCypress Semiconductor |
IC MEMORY NOR |
