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| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 系列: | - |
| 包裹: | Tray |
| 零件状态: | Active |
| 内存类型: | Non-Volatile |
| 内存格式: | EEPROM |
| 技术: | EEPROM |
| 内存大小: | 512Kb (64K x 8) |
| 内存接口: | SPI |
| 时钟频率: | 20 MHz |
| 写周期时间 - 字，页: | 5ms |
| 访问时间: | - |
| 电压 - 电源: | 2.5V ~ 5.5V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 包/箱: | Die |
| 供应商设备包: | Die |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间：周一至周五，9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
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CG7733AACypress Semiconductor |
IC EMI REDUCTION PREMIS SSCG |
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MT29C2G24MAAAAHAKC-5 ITMicron Technology |
IC FLASH/LPDRAM 3GBIT |
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MT29AZ5A5CHGSQ-18AIT.87UMicron Technology |
IC FLASH 8GB NAND |
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MT53D384M16D1Z1AMWC1Micron Technology |
LPDDR4 6G DIE 384MX16 |
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CG8682AFCypress Semiconductor |
IC MCD CCG2 TYPE C 24QFN |
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M29F800DT70M6Micron Technology |
IC FLASH 8MBIT PARALLEL 44SO |
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MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:DMicron Technology |
IC DRAM 64GBIT 1600MHZ |
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IS61WV12824-8BIISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
IC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA |
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N25Q512A83G12A0FMicron Technology |
IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA |
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MT29F512G08CKCBBH7-6R:B TRMicron Technology |
IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA |
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P770040CFWC071 XFCypress Semiconductor |
IC MEMORY NOR |
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MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-FESMicron Technology |
IC FLASH 512GBIT DIE |
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S29GL064S90TFV043Cypress Semiconductor |
IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TSOP |
