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EPC2015C

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零件编号 :: EPC2015C

制造商: EPC

描述: GANFET N-CH 40V 53A DIE

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 16127 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 22 - Nov 26 2024

PDF格式: EPC2015C PDF

类型	描述
系列:	eGaN®
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压 (vdss):	40 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	53A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	5V
rds on (max) @ id, vgs:	4mOhm @ 33A, 5V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.5V @ 9mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	8.7 nC @ 5 V
vgs (最大值):	+6V, -4V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1180 pF @ 20 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	-
工作温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	Die
包/箱:	Die

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