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IPG20N10S4L35ATMA1

IPG20N10S4L35ATMA1

MOSFET 2N-CH 8TDSON

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零件编号 :

IPG20N10S4L35ATMA1

制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET 2N-CH 8TDSON
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
14427 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 23 - Nov 27 2024
PDF格式
IPG20N10S4L35ATMA1 PDF
类型 描述
系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):100V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:20A
rds on (max) @ id, vgs:35mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2.1V @ 16µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:17.4nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:1105pF @ 25V
功率 - 最大值:43W
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:8-PowerVDFN
供应商设备包:PG-TDSON-8-4
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