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FDMD86100

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零件编号 :: FDMD86100

制造商: Rochester Electronics

描述: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 11078 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 23 - Nov 27 2024

PDF格式: FDMD86100 PDF

类型	描述
系列:	PowerTrench®
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual) Common Source
场效应管特征:	Standard
漏源电压 (vdss):	100V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	10A
rds on (max) @ id, vgs:	10.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	4V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	30nC @ 10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	2060pF @ 50V
功率 - 最大值:	2.2W
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-PowerWDFN
供应商设备包:	8-Power 5x6

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