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FF6MR12W2M1B11BOMA1

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零件编号 :: FF6MR12W2M1B11BOMA1

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET MODULE 1200V 200A

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 340234 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 23 - Nov 27 2024

类型	描述
系列:	CoolSiC™+
包裹:	Tray
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:	Silicon Carbide (SiC)
漏源电压 (vdss):	1200V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	200A (Tj)
rds on (max) @ id, vgs:	5.63mOhm @ 200A, 15V
vgs(th) (最大值) @ id:	5.55V @ 10mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	496nC @ 15V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	14700pF @ 800V
功率 - 最大值:	20mW (Tc)
工作温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Chassis Mount
包/箱:	Module
供应商设备包:	AG-EASY2BM-2

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