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BSM250D17P2E004

BSM250D17P2E004

HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF

CS5174GDR8

CS5174GDR8

IC REG MULT CONFG ADJ 1.5A 8SOIC

7789793015

7789793015

CABLE ASSEMBLY INTERFACE 4.9'

BSM250D17P2E004

BSM250D17P2E004

图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

BSM250D17P2E004

制造商
ROHM Semiconductor
描述
HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
010301 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Aug 08 - Aug 12 2025
类型 描述
系列:-
包裹:Box
零件状态:Active
场效应管类型:2 N-Channel (Half Bridge)
场效应管特征:Silicon Carbide (SiC)
漏源电压 (vdss):1700V (1.7kV)
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:250A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:-
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 66mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:-
输入电容 (ciss) (max) @ vds:30000pF @ 10V
功率 - 最大值:1800W (Tc)
工作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Chassis Mount
包/箱:Module
供应商设备包:Module
BSM250D17P2E004 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 BSM250D17P2E004 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为BSM250D17P2E004 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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