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BSC0910NDIATMA1

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零件编号 :: BSC0910NDIATMA1

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 14436 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 23 - Nov 27 2024

PDF格式: BSC0910NDIATMA1 PDF

类型	描述
系列:	OptiMOS™
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
场效应管特征:	Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏源电压 (vdss):	25V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	11A, 31A
rds on (max) @ id, vgs:	4.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	6.6nC @ 4.5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	4500pF @ 12V
功率 - 最大值:	1W
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-PowerTDFN
供应商设备包:	PG-TISON-8

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