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BSC0910NDIATMA1

BSC0910NDIATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8

BSC0910NDIATMA1

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零件编号 :

BSC0910NDIATMA1

制造商
IR (Infineon Technologies)
描述
MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
14436 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 15 - Nov 19 2024
PDF格式
BSC0910NDIATMA1 PDF
类型 描述
系列:OptiMOS™
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
场效应管特征:Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏源电压 (vdss):25V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:11A, 31A
rds on (max) @ id, vgs:4.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:2V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:6.6nC @ 4.5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:4500pF @ 12V
功率 - 最大值:1W
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:8-PowerTDFN
供应商设备包:PG-TISON-8
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