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零件编号 :

FDS6993

制造商
Rochester Electronics
描述
P-CHANNEL POWER MOSFET
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列
可用性
10200 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 23 - Nov 27 2024
PDF格式
FDS6993 PDF
类型 描述
系列:PowerTrench®
包裹:Bulk
零件状态:Obsolete
场效应管类型:2 P-Channel (Dual)
场效应管特征:Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):30V, 12V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:4.3A, 6.8A
rds on (max) @ id, vgs:55mOhm @ 4.3A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:3V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:7.7nC @ 5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:530pF @ 15V
功率 - 最大值:900mW
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
包/箱:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包:8-SOIC
FDS6993 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 FDS6993 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为FDS6993 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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