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IRFH4257DTRPBF

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零件编号 :: IRFH4257DTRPBF

制造商: Rochester Electronics

描述: IRFH4257 - HEXFET POWER MOSFET

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 12502 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Apr 15 - Apr 19 2025

PDF格式: IRFH4257DTRPBF PDF

类型	描述
系列:	HEXFET®
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:	Logic Level Gate
漏源电压 (vdss):	25V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	25A
rds on (max) @ id, vgs:	3.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.1V @ 35µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	15nC @ 4.5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1321pF @ 13V
功率 - 最大值:	25W, 28W
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-PowerVDFN
供应商设备包:	Dual PQFN (5x4)

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