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SH8M13GZETB

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零件编号 :: SH8M13GZETB

制造商: ROHM Semiconductor

描述: MIDDLE POWER MOSFET SERIES (DUAL

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 11021 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 15 - Nov 19 2024

PDF格式: SH8M13GZETB PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Not For New Designs
场效应管类型:	N and P-Channel
场效应管特征:	-
漏源电压 (vdss):	30V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	6A, 7A
rds on (max) @ id, vgs:	29mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.5V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	18nC @ 5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1200pF @ 10V
功率 - 最大值:	2W
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包:	8-SOP

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