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IRFHE4250DTRPBF

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零件编号 :: IRFHE4250DTRPBF

制造商: Rochester Electronics

描述: HEXFET POWER MOSFET

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 阵列

可用性: 19000 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Sep 26 - Sep 30 2024

PDF格式: IRFHE4250DTRPBF PDF

类型	描述
系列:	HEXFET®
包裹:	Bulk
零件状态:	Active
场效应管类型:	2 N-Channel (Dual)
场效应管特征:	Standard
漏源电压 (vdss):	25V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	86A (Tc), 303A (Tc)
rds on (max) @ id, vgs:	2.75mOhm @ 27A, 10V, 900µOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	20nC, 53nC @ 4.5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
功率 - 最大值:	156W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
包/箱:	32-PowerVFQFN
供应商设备包:	32-PQFN (6x6)

IRFHE4250DTRPBF 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 IRFHE4250DTRPBF 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为IRFHE4250DTRPBF 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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