类型 | 描述 |
---|---|
系列: | - |
包裹: | Tray |
零件状态: | Obsolete |
场效应管类型: | - |
场效应管特征: | - |
漏源电压 (vdss): | - |
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c: | - |
rds on (max) @ id, vgs: | - |
vgs(th) (最大值) @ id: | - |
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs: | - |
输入电容 (ciss) (max) @ vds: | - |
功率 - 最大值: | - |
工作温度: | - |
安装类型: | - |
包/箱: | - |
供应商设备包: | - |
UNIT2, 22/F., RICHMOND COMM. 香港九龙旺角亚皆老街109号大厦
办公时间:周一至周五,9:00-18:30(GMT+8)
电话: 00852-52612101
APTM120VDA57T3GMicrosemi |
MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 |
|
NSTJD1155LT1GSanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
MOSFET 2P-CH 8V 1.3A SC88 |
|
APTM20DHM20TGMicrosemi |
MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4 |
|
AOC3870Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
MOSFET N-CHANNEL 6DFN |