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SIA414DJ-T1-GE3

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MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6

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零件编号 :

SIA414DJ-T1-GE3

制造商
Vishay / Siliconix
描述
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
10759 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Dec 31 - Jan 04 2024
PDF格式
SIA414DJ-T1-GE3 PDF
类型 描述
系列:TrenchFET®
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):8 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:12A (Tc)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):1.2V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:11mOhm @ 9.7A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:800mV @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:32 nC @ 5 V
vgs (最大值):±5V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:1800 pF @ 4 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):3.5W (Ta), 19W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:PowerPAK® SC-70-6 Single
包/箱:PowerPAK® SC-70-6
SIA414DJ-T1-GE3 可在 GangBo-ic.com 获得,请查看下面的产品页面以获取详细信息,包括 SIA414DJ-T1-GE3 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问,查找可更换的电子零件。想要为SIA414DJ-T1-GE3 获得全面的数据以优化供应链(包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测),请联系我们的技术支持团队。

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