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RUE003N02TL

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零件编号 :: RUE003N02TL

制造商: ROHM Semiconductor

描述: MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 412941 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 06 - Nov 10 2024

PDF格式: RUE003N02TL PDF

类型	描述
系列:	-
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Not For New Designs
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	300mA (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	1.8V, 4V
rds on (max) @ id, vgs:	1Ohm @ 300mA, 4V
vgs(th) (最大值) @ id:	1V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (最大值):	±8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	25 pF @ 10 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	150mW (Ta)
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商设备包:	EMT3
包/箱:	SC-75, SOT-416

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