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STQ1HNK60R-AP

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零件编号 :: STQ1HNK60R-AP

制造商: STMicroelectronics

描述: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 18558 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Oct 31 - Nov 04 2025

PDF格式: STQ1HNK60R-AP PDF

类型	描述
系列:	SuperMESH™
包裹:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):	600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	400mA (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	10V
rds on (max) @ id, vgs:	8.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:	3.7V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	10 nC @ 10 V
vgs (最大值):	±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	156 pF @ 25 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	3W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:	Through Hole
供应商设备包:	TO-92-3
包/箱:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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