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FDME510PZT

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MOSFET P-CH 20V 6A MICROFET

FDME510PZT

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图片仅供参考,请联系我们获取真实图片

零件编号 :

FDME510PZT

制造商
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
描述
MOSFET P-CH 20V 6A MICROFET
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
16742 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 23 - Nov 27 2024
PDF格式
FDME510PZT PDF
类型 描述
系列:PowerTrench®
包裹:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:Active
场效应管类型:P-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):20 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:6A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on):1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:37mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (最大值) @ id:1V @ 250µA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:22 nC @ 4.5 V
vgs (最大值):±8V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:1490 pF @ 10 V
场效应管特征:-
功耗(最大值):2.1W (Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型:Surface Mount
供应商设备包:MicroFet 1.6x1.6 Thin
包/箱:6-PowerUFDFN
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