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IMBF170R650M1XTMA1

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零件编号 :: IMBF170R650M1XTMA1

制造商: IR (Infineon Technologies)

描述: SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7

目录: 晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单

可用性: 10746 件

发货自: 香港仓库

预计发货日期: Nov 25 - Nov 29 2024

类型	描述
系列:	CoolSiC™
包裹:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
零件状态:	Active
场效应管类型:	N-Channel
技术:	SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压 (vdss):	1700 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:	7.4A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:	12V, 15V
rds on (max) @ id, vgs:	650mOhm @ 1.5A, 15V
vgs(th) (最大值) @ id:	5.7V @ 1.7mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:	8 nC @ 12 V
vgs (最大值):	+20V, -10V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:	422 pF @ 1000 V
场效应管特征:	-
功耗（最大值）:	88W (Tc)
工作温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:	-
供应商设备包:	PG-TO263-7
包/箱:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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