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TK31J60W,S1VQ

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MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P

SS25S-E3/61T

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DIODE SCHOTTKY 50V 2A DO214AC

TK31J60W,S1VQ

TK31J60W,S1VQ

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零件编号 :

TK31J60W,S1VQ

制造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
描述
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
025802 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Oct 31 - Nov 04 2025
PDF格式
TK31J60W,S1VQ PDF
类型 描述
系列:DTMOSIV
包裹:Tube
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):600 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:30.8A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:88mOhm @ 15.4A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:3.7V @ 1.5mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:86 nC @ 10 V
vgs (最大值):±30V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:3000 pF @ 300 V
场效应管特征:Super Junction
功耗（最大值）:230W (Tc)
工作温度:150°C (TJ)
安装类型:Through Hole
供应商设备包:TO-3P(N)
包/箱:TO-3P-3, SC-65-3
TK31J60W,S1VQ 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 TK31J60W,S1VQ 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为TK31J60W,S1VQ 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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