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PSMN3R3-80ES,127

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ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF

PSMN3R3-80ES,127

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图片仅供参考，请联系我们获取真实图片

零件编号 :

PSMN3R3-80ES,127

制造商
Rochester Electronics
描述
ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF
目录
晶体管 - 场效应晶体管、场效应晶体管 - 单
可用性
11415 件
发货自
香港仓库
预计发货日期
Nov 25 - Nov 29 2024
PDF格式
PSMN3R3-80ES,127 PDF
类型 描述
系列:-
包裹:Tube
零件状态:Active
场效应管类型:N-Channel
技术:MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (vdss):80 V
电流 - 连续漏极 (id) @ 25°c:120A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）:10V
rds on (max) @ id, vgs:3.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (最大值) @ id:4V @ 1mA
栅极电荷 (qg) (max) @ vgs:139 nC @ 10 V
vgs (最大值):±20V
输入电容 (ciss) (max) @ vds:9.961 pF @ 40 V
场效应管特征:-
功耗（最大值）:338W (Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型:Through Hole
供应商设备包:I2PAK
包/箱:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
PSMN3R3-80ES,127 可在 GangBo-ic.com 获得，请查看下面的产品页面以获取详细信息，包括 PSMN3R3-80ES,127 价格、数据表、库存可用性、技术难度。快速进入比较列表的访问，查找可更换的电子零件。想要为PSMN3R3-80ES,127 获得全面的数据以优化供应链（包括交叉引用、生命周期、参数、假冒风险、过时管理预测），请联系我们的技术支持团队。

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